PHK18NQ03LT,518 Preise (USD) [12487Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHK18NQ03LT,518
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PHK18NQ03LT,518 elektronische Komponenten. PHK18NQ03LT,518 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHK18NQ03LT,518 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PHK18NQ03LT,518 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHK18NQ03LT,518
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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