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ON Semiconductor - FQB70N08TM

KEY Part #: K6413510

[13075Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FQB70N08TM
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB70N08TM elektronische Komponenten. FQB70N08TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB70N08TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB70N08TM Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQB70N08TM
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 3.75W (Ta), 155W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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