DMN3900UFA-7B Preise (USD) [833598Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3900UFA-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3900UFA-7B elektronische Komponenten. DMN3900UFA-7B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3900UFA-7B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3900UFA-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3900UFA-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
42.2pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
390mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN0806-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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