TPN4R203NC,L1Q Preise (USD) [223414Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPN4R203NC,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
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TPN4R203NC,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPN4R203NC,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Serie :
U-MOSVIII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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