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- Artikelnummer:
- VN10KN3-G-P002
- Hersteller:
- Microchip Technology
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology VN10KN3-G-P002 elektronische Komponenten. VN10KN3-G-P002 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VN10KN3-G-P002 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
VN10KN3-G-P002 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VN10KN3-G-P002
Hersteller :
Microchip Technology
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
310mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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