SIHB12N60E-GE3 Preise (USD) [41018Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHB12N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
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- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SIHB12N60E-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHB12N60E-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
147W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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