Rohm Semiconductor - R8010ANX

KEY Part #: K6398004

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Artikelnummer:
R8010ANX
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R8010ANX Produkteigenschaften

Artikelnummer : R8010ANX
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220FM
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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