IXFX21N100F Preise (USD) [4525Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX21N100F
- Hersteller:
- IXYS-RF
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS-RF IXFX21N100F elektronische Komponenten. IXFX21N100F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX21N100F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX21N100F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX21N100F
Hersteller :
IXYS-RF
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Serie :
HiPerRF™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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