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- Artikelnummer:
- IRF6614TR1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6614TR1 elektronische Komponenten. IRF6614TR1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6614TR1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF6614TR1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6614TR1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2560pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ ST
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric ST
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