ON Semiconductor - NTGS3443BT1G

KEY Part #: K6408438

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    Artikelnummer:
    NTGS3443BT1G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTGS3443BT1G elektronische Komponenten. NTGS3443BT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTGS3443BT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTGS3443BT1G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTGS3443BT1G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 819pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 6-TSOP
    Paket / fall : SOT-23-6

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