STMicroelectronics - STW3N170

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Artikelnummer:
STW3N170
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW3N170 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STW3N170
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Serie : PowerMESH™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 160mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3

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