RF4E080GNTR Preise (USD) [670403Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RF4E080GNTR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RF4E080GNTR elektronische Komponenten. RF4E080GNTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RF4E080GNTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RF4E080GNTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RF4E080GNTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
295pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
HUML2020L8
Paket / fall :
8-PowerUDFN
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