IXFH80N65X2-4 Preise (USD) [9197Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH80N65X2-4
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXFH80N65X2-4 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH80N65X2-4
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
890W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-4L
Paket / fall :
TO-247-4
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