FDD3510H Preise (USD) [180396Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD3510H
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD3510H elektronische Komponenten. FDD3510H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD3510H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD3510H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD3510H
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 40V
Leistung max :
1.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Supplier Device Package :
TO-252-4L
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