Artikelnummer :
SIR186DP-T1-RE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1710pF @ 30V
Verlustleistung (max.) :
57W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8