SIR826BDP-T1-RE3 Preise (USD) [118801Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIR826BDP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIR826BDP-T1-RE3 elektronische Komponenten. SIR826BDP-T1-RE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIR826BDP-T1-RE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIR826BDP-T1-RE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIR826BDP-T1-RE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3030pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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