RW1E025RPT2CR Preise (USD) [1208286Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RW1E025RPT2CR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RW1E025RPT2CR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RW1E025RPT2CR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-WEMT
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
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