Infineon Technologies - IRF1010EZLPBF

KEY Part #: K6411898

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    Artikelnummer:
    IRF1010EZLPBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-262.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF1010EZLPBF elektronische Komponenten. IRF1010EZLPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF1010EZLPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF1010EZLPBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF1010EZLPBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 51A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2810pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-262
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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