IAUT200N08S5N023ATMA1 Preise (USD) [42573Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- 80V 200A 2.3MOHM TOLL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IAUT200N08S5N023ATMA1 elektronische Komponenten. IAUT200N08S5N023ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IAUT200N08S5N023ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IAUT200N08S5N023ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IAUT200N08S5N023ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
80V 200A 2.3MOHM TOLL
Serie :
OptiMOS™-5
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7670pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
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