DMN30H4D0L-13 Preise (USD) [13440Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN30H4D0L-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V .25A SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13 elektronische Komponenten. DMN30H4D0L-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN30H4D0L-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN30H4D0L-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN30H4D0L-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V .25A SOT23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
187.3pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
310mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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