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- Artikelnummer:
- FQB25N33TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB25N33TM elektronische Komponenten. FQB25N33TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB25N33TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB25N33TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB25N33TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
330V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 15V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2010pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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