Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.5A (Ta), 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
425pF @ 13V
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63