IPB036N12N3GATMA1 Preise (USD) [24475Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB036N12N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPB036N12N3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB036N12N3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
211nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13800pF @ 60V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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