Vishay Siliconix - SIHG30N60E-E3

KEY Part #: K6416844

SIHG30N60E-E3 Preise (USD) [21111Stück Lager]

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Artikelnummer:
SIHG30N60E-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHG30N60E-E3 elektronische Komponenten. SIHG30N60E-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHG30N60E-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG30N60E-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIHG30N60E-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AC
Paket / fall : TO-247-3

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