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IXYS-RF - IXFX55N50F

KEY Part #: K6397851

IXFX55N50F Preise (USD) [3909Stück Lager]

  • 1 pcs$14.69588
  • 10 pcs$13.59554
  • 100 pcs$11.61122
Artikelnummer:
IXFX55N50F
Hersteller:
IXYS-RF
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS-RF IXFX55N50F elektronische Komponenten. IXFX55N50F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX55N50F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX55N50F Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFX55N50F
Hersteller : IXYS-RF
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
Serie : HiPerRF™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 560W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3

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