IXYS - IXFE80N50

KEY Part #: K6401399

IXFE80N50 Preise (USD) [2499Stück Lager]

  • 1 pcs$18.28616
  • 10 pcs$18.19518

Artikelnummer:
IXFE80N50
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFE80N50 elektronische Komponenten. IXFE80N50 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFE80N50 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE80N50 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFE80N50
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 580W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC