Nexperia USA Inc. - BUK7Y102-100B,115

KEY Part #: K6421190

BUK7Y102-100B,115 Preise (USD) [384118Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09629
  • 1,500 pcs$0.08446

Artikelnummer:
BUK7Y102-100B,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK7Y102-100B,115 elektronische Komponenten. BUK7Y102-100B,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK7Y102-100B,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK7Y102-100B,115 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BUK7Y102-100B,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 779pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669

Sie könnten auch interessiert sein an