IXFK32N80P Preise (USD) [9796Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFK32N80P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 32A TO-264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFK32N80P elektronische Komponenten. IXFK32N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFK32N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFK32N80P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFK32N80P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
Serie :
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-264AA (IXFK)
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
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