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ON Semiconductor - RFP30N06LE

KEY Part #: K6413405

[13112Stück Lager]

    Artikelnummer:
    RFP30N06LE
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor RFP30N06LE elektronische Komponenten. RFP30N06LE kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RFP30N06LE haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RFP30N06LE Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RFP30N06LE
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 30A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
    Vgs (Max) : +10V, -8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 96W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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