BSC035N10NS5ATMA1 Preise (USD) [65406Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC035N10NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC035N10NS5ATMA1 elektronische Komponenten. BSC035N10NS5ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC035N10NS5ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC035N10NS5ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 115µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6500pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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