Vishay Siliconix - IRF614PBF

KEY Part #: K6393009

IRF614PBF Preise (USD) [123484Stück Lager]

  • 1 pcs$0.30103
  • 1,000 pcs$0.29953

Artikelnummer:
IRF614PBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRF614PBF elektronische Komponenten. IRF614PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF614PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF614PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF614PBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3