FCP125N65S3R0 Preise (USD) [22480Stück Lager]
- 1 pcs$1.83331
- Artikelnummer:
- FCP125N65S3R0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- SUPERFET3 650V TO220 PKG.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCP125N65S3R0 elektronische Komponenten. FCP125N65S3R0 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCP125N65S3R0 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FCP125N65S3R0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCP125N65S3R0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1940pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
181W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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