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- Artikelnummer:
- IRFD120
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFD120 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFD120
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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