Infineon Technologies - IPB044N15N5ATMA1

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Artikelnummer:
IPB044N15N5ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB044N15N5ATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB044N15N5ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 174A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 87A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.6V @ 264µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8000pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-7
Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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