DMTH10H010SPSQ-13 Preise (USD) [106734Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMTH10H010SPSQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMTH10H010SPSQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH10H010SPSQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4468pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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