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- Artikelnummer:
- SPI07N65C3HKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPI07N65C3HKSA1 elektronische Komponenten. SPI07N65C3HKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPI07N65C3HKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPI07N65C3HKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPI07N65C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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