Vishay Siliconix - IRFSL11N50A

KEY Part #: K6414084

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    Artikelnummer:
    IRFSL11N50A
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 11A TO-262.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - JFETs and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFSL11N50A elektronische Komponenten. IRFSL11N50A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFSL11N50A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFSL11N50A Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRFSL11N50A
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 6.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1426pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-262-3
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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