BSZ120P03NS3EGATMA1 Preise (USD) [347366Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ120P03NS3EGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ120P03NS3EGATMA1 elektronische Komponenten. BSZ120P03NS3EGATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ120P03NS3EGATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ120P03NS3EGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ120P03NS3EGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 73µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3360pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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