IRF8313TRPBF Preise (USD) [330336Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF8313TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF8313TRPBF elektronische Komponenten. IRF8313TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF8313TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF8313TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF8313TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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