IRF8313TRPBF Preise (USD) [330336Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF8313TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF8313TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF8313TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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