TP65H050WS Preise (USD) [5775Stück Lager]
- 1 pcs$7.13493
- Artikelnummer:
- TP65H050WS
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 34A TO247-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Transphorm TP65H050WS elektronische Komponenten. TP65H050WS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TP65H050WS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TP65H050WS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TP65H050WS
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
119W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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