RFD3055LE Preise (USD) [105080Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RFD3055LE
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor RFD3055LE elektronische Komponenten. RFD3055LE kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RFD3055LE haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RFD3055LE Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RFD3055LE
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
38W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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