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Microsemi Corporation - APTM50DDAM65T3G

KEY Part #: K6522672

APTM50DDAM65T3G Preise (USD) [1554Stück Lager]

  • 1 pcs$27.99231
  • 100 pcs$27.85304
Artikelnummer:
APTM50DDAM65T3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM50DDAM65T3G elektronische Komponenten. APTM50DDAM65T3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM50DDAM65T3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50DDAM65T3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM50DDAM65T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Leistung max : 390W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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