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- Artikelnummer:
- NP83P06PDG-E1-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 83A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NP83P06PDG-E1-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NP83P06PDG-E1-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
83A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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