Infineon Technologies - SPB47N10

KEY Part #: K6409743

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    Artikelnummer:
    SPB47N10
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPB47N10 elektronische Komponenten. SPB47N10 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPB47N10 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB47N10 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SPB47N10
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
    Serie : SIPMOS®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 175W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB