IXTP110N12T2 Preise (USD) [22265Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTP110N12T2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET.
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- Haltbarkeit:
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- Chip von:
- Hongkong
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IXTP110N12T2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTP110N12T2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Serie :
TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6570pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
517W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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