Infineon Technologies - IRLMS5703TR

KEY Part #: K6414181

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    Artikelnummer:
    IRLMS5703TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLMS5703TR elektronische Komponenten. IRLMS5703TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLMS5703TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLMS5703TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRLMS5703TR
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : Micro6™(SOT23-6)
    Paket / fall : SOT-23-6

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