Nexperia USA Inc. - BSH205G2VL

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Artikelnummer:
BSH205G2VL
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH205G2VL Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSH205G2VL
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 418pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 480mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-236AB
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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