Vishay Siliconix - SQ4005EY-T1_GE3

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SQ4005EY-T1_GE3 Preise (USD) [194422Stück Lager]

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Artikelnummer:
SQ4005EY-T1_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ4005EY-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ4005EY-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4005EY-T1_GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SQ4005EY-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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