FDD86580-F085 Preise (USD) [210713Stück Lager]
- 1 pcs$0.17553
- Artikelnummer:
- FDD86580-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD86580-F085 elektronische Komponenten. FDD86580-F085 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD86580-F085 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD86580-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD86580-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1430pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
75W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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