ON Semiconductor - ISL9N302AP3

KEY Part #: K6410203

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    Artikelnummer:
    ISL9N302AP3
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor ISL9N302AP3 elektronische Komponenten. ISL9N302AP3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ISL9N302AP3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ISL9N302AP3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : ISL9N302AP3
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
    Serie : UltraFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 345W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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